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张守进
张守进  张守进,台湾成功大学,教授。1961年1月17日生于台湾台北。1989年获美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)电机工程学博士。1889-1992任职于日本NTT公司基础研究所,现任台湾成功大学电机工程学系与微电子工程研究所特聘教授,台湾成功大学尖端光电中心副主任,台湾成功大学纳米科技与微系统中心副主任,大陆长春理工大学名誉教授。早期从事硅赭(SiGe)系列材料的分子束外延(MBE)生长,任职日本NTT公司期间开始从事以有机金属气相沉积(MOCVD)制作光通讯用激光等III-V族化合物半导体器件,90年代中期开始从事氮化镓(GaN)系列材料的研究,并研制出台湾第一颗蓝光发光二极管(LED)。在蓝光发光二极管方面的研究相当杰出,提出数十种方法目前均已被企业界使用做为标准,所培育的学生除了任职于台湾相关企业界之外,也有十余人任职于大陆的发光二极管相关企业。
张守进,台湾成功大学,教授。1961年1月17日生于台湾台北。1989年获美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)电机工程学博士。1889-1992任职于日本NTT公司基础研究所,现任台湾成功大学电机工程学系与微电子工程研究所特聘教授,台湾成功大学尖端光电中心副主任,台湾成功大学纳米科技与微系统中心副主任,大陆长春理工大学名誉教授。早期从事硅赭(SiGe)系列材料的分子束外延(MBE)生长,任职日本NT...
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张守进,台湾成功大学,教授。1961年1月17日生于台湾台北。1989年获美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)电机工程学博士。1889-1992任职于日本NTT公司基础研究所,现任台湾成功大学电机工程学系与微电子工程研究所特聘教授,台湾成功大学尖端光电中心副主任,台湾成功大学纳米科技与微系统中心副主任,大陆长春理工大学名誉教授。 早期从事硅赭(SiGe)系列材料的分子束外延(MBE)生长,任职日本NTT公司期间开始从事以有机金属气相沉积(MOCVD)制作光通讯用激光等III-V族化合物半导体器件,90年代中期开始从事氮化镓(GaN)系列材料的研究,并研制出台湾第一颗蓝光发光二极管(LED)。在蓝光发光二极管方面的研究相当杰出,提出数十种方法目前均已被企业界使用做为标准,所培育的学生除了任职于台湾相关企业界之外, 也有十余人任职于大陆的发光二极管相关企业。

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