郑耀宗 微电子学专家，长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。1939年2月9日生于香港。1963年毕业于香港大学，获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。1999年当选为中国科学院院士。
微电子学专家，长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。1939年2月9日生于香港。1963年毕业于香港大学，获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。1999年当选为中国科学院院士。
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微电子学专家，长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。1939年2月9日生于香港。1963年毕业于香港大学，获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。1999年当选为中国科学院院士。
