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朱慧珑
朱慧珑  朱慧珑,中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师。提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(DualStressLiner)、应力近临技术(stressproximitytechnique)、减薄栅极的应变MOSFET等;·较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。2000年-2009年IBM半导体研究和开发中心(SRDC),位于纽约的HopewellJunction。.提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(DualStressLiner)、应力近临技术(stressproximitytechnique)、减薄栅极的应变MOSFET等。较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。
朱慧珑,中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师。提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(DualStressLiner)、应力近临技术(stressproximitytechnique)、减薄栅极的应变MOSFET等;·较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。200...
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朱慧珑,中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师。 提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等; · 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。2000年-2009年 IBM半导体研究和开发中心(SRDC), 位于纽约的Hopewell Junction。.提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等。较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。

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