屠海令
  屠海令,电子材料专家,北京市人。1969年毕业于天津大学,1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位,1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。现任北京有色金属研究总院名誉院长,有研科技集团有限公司科技委主任,中国有色金属工业协会特邀副会长。曾任中国科学技术协会常务委员会委员、中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长、中国半导体行业协会副理事长、中国电子材料行业协会副理事长。长期从事硅、化合物半导体,稀土半导体,硅基半导体材料制备;半导体材料中杂质与缺陷行为,界面、表面物理化学;半导体材料与器件性能关系;纳米半导体材料,高k材料和红外光学材料等方面研究。领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目,形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。获国家级、省部级科技进步奖16项,授权专利44项。发表论文280多篇,出版著作9部。2007年当选中国工程院院士。
 

屠海令,电子材料专家,北京市人。1969年毕业于天津大学,1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位,1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。现任北京有色金属研究总院名誉院长,有研科技集团有限公司科技委主任,中国有色金属工业协会特邀副会长。曾任中国科学技术协会常务委员会委员、中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长、中国半导体行业协会副理事长、中国电子材料行业协会副理事长。

长期从事硅、化合物半导体,稀土半导体,硅基半导体材料制备;半导体材料中杂质与缺陷行为,界面、表面物理化学;半导体材料与器件性能关系;纳米半导体材料,高k材料和红外光学材料等方面研究。领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目,形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。获国家级、省部级科技进步奖16项,授权专利44项。发表论文280多篇,出版著作9部。

2007年当选中国工程院院士。

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屠海令    屠海令,电子材料专家,北京市人。1969年毕业于天津大学,1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位,1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。现任北京有色金属研究总院名誉院长,有研科技集团有限公司科技委主任,中国有色金属工业协会特邀副会长。曾任中国科学技术协会常务委员会委员、中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长、中国半导体行业协会副理事长、中国电子材料行业协会副理事长。长期从事硅、化合物半导体,稀土半导体,硅基半导体材料制备;半导体材料中杂质与缺陷行为,界面、表面物理化学;半导体材料与器件性能关系;纳米半导体材料,高k材料和红外光学材料等方面研究。领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目,形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。获国家级、省部级科技进步奖16项,授权专利44项。发表论文280多篇,出版著作9部。2007年当选中国工程院院士。
  屠海令,电子材料专家,北京市人。1969年毕业于天津大学,1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位,1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。现任北京有色金属研究总院名誉院长,有研科技集团有限公司科技委主任,中国有色金属工业协会特邀副会长。曾任中国科学技术协会常务委员会委员、中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长、中国...
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屠海令,电子材料专家,北京市人。1969年毕业于天津大学,1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位,1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。现任北京有色金属研究总院名誉院长,有研科技集团有限公司科技委主任,中国有色金属工业协会特邀副会长。曾任中国科学技术协会常务委员会委员、中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长、中国半导体行业协会副理事长、中国电子材料行业协会副理事长。

长期从事硅、化合物半导体,稀土半导体,硅基半导体材料制备;半导体材料中杂质与缺陷行为,界面、表面物理化学;半导体材料与器件性能关系;纳米半导体材料,高k材料和红外光学材料等方面研究。领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目,形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。获国家级、省部级科技进步奖16项,授权专利44项。发表论文280多篇,出版著作9部。

2007年当选中国工程院院士。

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