天野浩
  天野教授现任名古屋大学未来材料与系统研究所教授。他当选为日本工程院院士(2015)、美国工程院院士(2016)。任LEDIA国际会议主席(2012-今)、化合物半导体国际会议地区技术主席(2013-今)。天野浩于1983年获得日本名古屋大学电子工程学士学位,1985年及1989年分别获得名古屋大学电气电子工程硕士及博士学位。天野教授是半导体领域国际著名学者,长期致力于氮化物半导体材料与器件研究,特别是氮化镓材料生长和器件制备研究。他开创了用MOCVD制备氮化镓基蓝光LED的技术,并首次成功实现了p型氮化镓,使蓝光PN结电注入发光成为可能,通过AlN低温缓冲层的引入,以及Mg掺杂和激活技术,研制出世界上第一支蓝光LED原型器件,开辟了成功的技术道路,极大推动了高电光转换效率蓝光LED的最终突破,带动了全球半导体照明的研究和开发,使半导体照明节能成为现实。他具有极高国际声誉和行业影响力,截至2020年1月,获发明专利授权32项,撰写专著27部,发表学术期刊论文617篇。鉴于天野教授发明了高效蓝光二极管,带来了明亮而节能的白色光源,他获得2014年诺贝尔物理奖。天野教授于2...
 

天野教授现任名古屋大学未来材料与系统研究所教授。他当选为日本工程院院士(2015)、美国工程院院士(2016)。任LEDIA国际会议主席(2012-今)、化合物半导体国际会议地区技术主席(2013-今)。

天野浩于1983年获得日本名古屋大学电子工程学士学位,1985年及1989年分别获得名古屋大学电气电子工程硕士及博士学位。

天野教授是半导体领域国际著名学者,长期致力于氮化物半导体材料与器件研究,特别是氮化镓材料生长和器件制备研究。他开创了用MOCVD制备氮化镓基蓝光LED的技术,并首次成功实现了p型氮化镓,使蓝光PN结电注入发光成为可能,通过AlN低温缓冲层的引入,以及Mg掺杂和激活技术,研制出世界上第一支蓝光LED原型器件,开辟了成功的技术道路,极大推动了高电光转换效率蓝光LED的最终突破,带动了全球半导体照明的研究和开发,使半导体照明节能成为现实。他具有极高国际声誉和行业影响力,截至2020年1月,获发明专利授权32项,撰写专著27部,发表学术期刊论文617篇。

鉴于天野教授发明了高效蓝光二极管,带来了明亮而节能的白色光源,他获得2014年诺贝尔物理奖。

天野教授于2019年当选中国工程院外籍院士。

天野教授担任日本宽禁带半导体光电子器件第162委员会特别顾问(2010-2017)、国际半导体联盟顾问委员(2016-2019)、国际物理奥林匹克日本大会组织委员(2016-2021)、IWUMD2017国际会议主席等学术职务。

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  天野教授现任名古屋大学未来材料与系统研究所教授。他当选为日本工程院院士(2015)、美国工程院院士(2016)。任LEDIA国际会议主席(2012-今)、化合物半导体国际会议地区技术主席(2013-今)。天野浩于1983年获得日本名古屋大学电子工程学士学位,1985年及1989年分别获得名古屋大学电气电子工程硕士及博士学位。天野教授是半导体领域国际著名学者,长期致力于氮化物半导体...
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天野教授现任名古屋大学未来材料与系统研究所教授。他当选为日本工程院院士(2015)、美国工程院院士(2016)。任LEDIA国际会议主席(2012-今)、化合物半导体国际会议地区技术主席(2013-今)。

天野浩于1983年获得日本名古屋大学电子工程学士学位,1985年及1989年分别获得名古屋大学电气电子工程硕士及博士学位。

天野教授是半导体领域国际著名学者,长期致力于氮化物半导体材料与器件研究,特别是氮化镓材料生长和器件制备研究。他开创了用MOCVD制备氮化镓基蓝光LED的技术,并首次成功实现了p型氮化镓,使蓝光PN结电注入发光成为可能,通过AlN低温缓冲层的引入,以及Mg掺杂和激活技术,研制出世界上第一支蓝光LED原型器件,开辟了成功的技术道路,极大推动了高电光转换效率蓝光LED的最终突破,带动了全球半导体照明的研究和开发,使半导体照明节能成为现实。他具有极高国际声誉和行业影响力,截至2020年1月,获发明专利授权32项,撰写专著27部,发表学术期刊论文617篇。

鉴于天野教授发明了高效蓝光二极管,带来了明亮而节能的白色光源,他获得2014年诺贝尔物理奖。

天野教授于2019年当选中国工程院外籍院士。

天野教授担任日本宽禁带半导体光电子器件第162委员会特别顾问(2010-2017)、国际半导体联盟顾问委员(2016-2019)、国际物理奥林匹克日本大会组织委员(2016-2021)、IWUMD2017国际会议主席等学术职务。

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