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小泉英明

　小泉英明，男，出生于1946年10月，日本工程院院士，日本学术振兴学会会员，日本工程院外事委员会主任。小泉博士长期从事电子学和成像技术前沿研究，成绩突出，在国际光谱、核磁成像和近红外成像上是国际著名的学者，曾获得诺贝尔奖提名。已注册专利超过163项（日本74项，海外89项），其中50项被日本通产省提名为日本突出专利。小泉博士多次获得日本的国家级奖励。2011年当选为中国工程院外籍院士。

小泉英明，男，出生于1946年10月，日本工程院院士，日本学术振兴学会会员，日本工程院外事委员会主任。

小泉博士长期从事电子学和成像技术前沿研究，成绩突出，在国际光谱、核磁成像和近红外成像上是国际著名的学者，曾获得诺贝尔奖提名。已注册专利超过163项（日本74项，海外89项），其中50项被日本通产省提名为日本突出专利。

小泉博士多次获得日本的国家级奖励。

2011年当选为中国工程院外籍院士。

小泉英明　小泉英明，男，出生于1946年10月，日本工程院院士，日本学术振兴学会会员，日本工程院外事委员会主任。小泉博士长期从事电子学和成像技术前沿研究，成绩突出，在国际光谱、核磁成像和近红外成像上是国际著名的学者，曾获得诺贝尔奖提名。已注册专利超过163项（日本74项，海外89项），其中50项被日本通产省提名为日本突出专利。小泉博士多次获得日本的国家级奖励。2011年当选为中国工程院外籍院士。