李永熙(Young Hee Lee)
  李永熙(YoungHeeLee),韩国国籍,低维材料物理学家。1955年7月出生于韩国。1982年在韩国全北国立大学获学士学位,1982年和1986年在美国肯特州立大学分别获硕士和博士学位。现任韩国基础科学研究院集成纳米结构物理中心主任、韩国成均馆大学能源科学系和物理系教授。2006年被授予韩国国家学者称号,2007年当选为韩国科学技术翰林院院士,2020年当选为发展中国家科学院院士,2021年当选为中国科学院外籍院士。   李永熙教授长期从事低维材料、物性及其应用探索研究。近年来率先制备出晶圆级单晶单层/多层石墨烯,在单层二维材料及异质结的生长领域做出了一系列引领性工作。首次在MoTe2中实现了从2H半导体到1T或1T'金属相的转变,提出了控制二维材料相变的新思路;发明了二维铁磁半导体生长技术,在V-WSe2中实现了室温铁磁特性;利用二维半导体材料中的载流子倍增效应,在二维MoTe2和WSe2中获得了接近99%的能量转换效率。此外,李永熙教授在碳纳米管应用领域作出了重要贡献,首次实现了基于单壁碳纳米管的超级电容器,该技术可有效应用于触摸屏等领域;与韩国三星公司合作,开发了32英寸...

  李永熙(Young Hee Lee),韩国国籍,低维材料物理学家。1955年7月出生于韩国。1982年在韩国全北国立大学获学士学位,1982年和1986年在美国肯特州立大学分别获硕士和博士学位。现任韩国基础科学研究院集成纳米结构物理中心主任、韩国成均馆大学能源科学系和物理系教授。2006年被授予韩国国家学者称号,2007年当选为韩国科学技术翰林院院士,2020年当选为发展中国家科学院院士,2021年当选为中国科学院外籍院士。
  李永熙教授长期从事低维材料、物性及其应用探索研究。近年来率先制备出晶圆级单晶单层/多层石墨烯,在单层二维材料及异质结的生长领域做出了一系列引领性工作。首次在MoTe2中实现了从2H半导体到1T或1T'金属相的转变,提出了控制二维材料相变的新思路;发明了二维铁磁半导体生长技术,在V-WSe2中实现了室温铁磁特性;利用二维半导体材料中的载流子倍增效应,在二维MoTe2和WSe2中获得了接近99%的能量转换效率。此外,李永熙教授在碳纳米管应用领域作出了重要贡献,首次实现了基于单壁碳纳米管的超级电容器,该技术可有效应用于触摸屏等领域;与韩国三星公司合作,开发了32英寸FED平板显示器,推动了碳纳米材料在电子与能源领域的产业化。李永熙教授迄今发表了600余篇学术论文,被SCI引用4.7万余次,H指数为107,连续多年入选科睿唯安“高被引科学家”,获多个学术奖项。
  

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李永熙(Young Hee Lee)
李永熙(Young Hee Lee)    李永熙(YoungHeeLee),韩国国籍,低维材料物理学家。1955年7月出生于韩国。1982年在韩国全北国立大学获学士学位,1982年和1986年在美国肯特州立大学分别获硕士和博士学位。现任韩国基础科学研究院集成纳米结构物理中心主任、韩国成均馆大学能源科学系和物理系教授。2006年被授予韩国国家学者称号,2007年当选为韩国科学技术翰林院院士,2020年当选为发展中国家科学院院士,2021年当选为中国科学院外籍院士。   李永熙教授长期从事低维材料、物性及其应用探索研究。近年来率先制备出晶圆级单晶单层/多层石墨烯,在单层二维材料及异质结的生长领域做出了一系列引领性工作。首次在MoTe2中实现了从2H半导体到1T或1T'金属相的转变,提出了控制二维材料相变的新思路;发明了二维铁磁半导体生长技术,在V-WSe2中实现了室温铁磁特性;利用二维半导体材料中的载流子倍增效应,在二维MoTe2和WSe2中获得了接近99%的能量转换效率。此外,李永熙教授在碳纳米管应用领域作出了重要贡献,首次实现了基于单壁碳纳米管的超级电容器,该技术可有效应用于触摸屏等领域;与韩国三星公司合作,开发了32英寸...
  李永熙(YoungHeeLee),韩国国籍,低维材料物理学家。1955年7月出生于韩国。1982年在韩国全北国立大学获学士学位,1982年和1986年在美国肯特州立大学分别获硕士和博士学位。现任韩国基础科学研究院集成纳米结构物理中心主任、韩国成均馆大学能源科学系和物理系教授。2006年被授予韩国国家学者称号,2007年当选为韩国科学技术翰林院院士,2020年当选为发展中国家科学院院士,2021...
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  李永熙(Young Hee Lee),韩国国籍,低维材料物理学家。1955年7月出生于韩国。1982年在韩国全北国立大学获学士学位,1982年和1986年在美国肯特州立大学分别获硕士和博士学位。现任韩国基础科学研究院集成纳米结构物理中心主任、韩国成均馆大学能源科学系和物理系教授。2006年被授予韩国国家学者称号,2007年当选为韩国科学技术翰林院院士,2020年当选为发展中国家科学院院士,2021年当选为中国科学院外籍院士。
  李永熙教授长期从事低维材料、物性及其应用探索研究。近年来率先制备出晶圆级单晶单层/多层石墨烯,在单层二维材料及异质结的生长领域做出了一系列引领性工作。首次在MoTe2中实现了从2H半导体到1T或1T'金属相的转变,提出了控制二维材料相变的新思路;发明了二维铁磁半导体生长技术,在V-WSe2中实现了室温铁磁特性;利用二维半导体材料中的载流子倍增效应,在二维MoTe2和WSe2中获得了接近99%的能量转换效率。此外,李永熙教授在碳纳米管应用领域作出了重要贡献,首次实现了基于单壁碳纳米管的超级电容器,该技术可有效应用于触摸屏等领域;与韩国三星公司合作,开发了32英寸FED平板显示器,推动了碳纳米材料在电子与能源领域的产业化。李永熙教授迄今发表了600余篇学术论文,被SCI引用4.7万余次,H指数为107,连续多年入选科睿唯安“高被引科学家”,获多个学术奖项。
  

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