吴汉明
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吴汉明

中国工程院院士,浙江大学微纳电子学院院长

吴汉明,1952年6月出生,江苏常州人。微电子技术(集成电路制造)专家。1987年毕业于中国科学院力学研究所,获博士学位。2019年当选中国工程院院士,担任浙江大学微纳电子学院院长。长期工作在我国集成电路芯片产业并做出突出贡献。主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发,攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点,与世界先进水平差距缩小至3至5年。用理论模型支持我国首台大生产等离子体刻蚀机研发。创建了设计IP核技术公共平台,支持芯片制造产业链协同发展。建立的非平衡低温等离子体混合模型/整体模型成作为教案被世界著名大学教科书采用。担任973项目首席科学家负责“量子点存储器和磁存储器技术研发”。发表著作论文116篇。授权发明专利67项。作为主要负责人,四次获省部级一等奖,包括三次国家科技进步二等奖。2014年荣获“十佳全国优秀科技工作者”称号。曾任“中国半导体技术国际会议(CSTIC)”大会主席。


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吴汉明中国工程院院士,浙江大学微纳电子学院院长吴汉明,1952年6月出生,江苏常州人。微电子技术(集成电路制造)专家。1987年毕业于中国科学院力学研究所,获博士学位。2019年当选中国工程院院士,担任浙江大学微纳电子学院院长。长期工作在我国集成电路芯片产业并做出突出贡献。主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发,攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点,与世界...
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中国工程院院士,浙江大学微纳电子学院院长

吴汉明,1952年6月出生,江苏常州人。微电子技术(集成电路制造)专家。1987年毕业于中国科学院力学研究所,获博士学位。2019年当选中国工程院院士,担任浙江大学微纳电子学院院长。长期工作在我国集成电路芯片产业并做出突出贡献。主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发,攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点,与世界先进水平差距缩小至3至5年。用理论模型支持我国首台大生产等离子体刻蚀机研发。创建了设计IP核技术公共平台,支持芯片制造产业链协同发展。建立的非平衡低温等离子体混合模型/整体模型成作为教案被世界著名大学教科书采用。担任973项目首席科学家负责“量子点存储器和磁存储器技术研发”。发表著作论文116篇。授权发明专利67项。作为主要负责人,四次获省部级一等奖,包括三次国家科技进步二等奖。2014年荣获“十佳全国优秀科技工作者”称号。曾任“中国半导体技术国际会议(CSTIC)”大会主席。


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