Min-hwa Chi
Min-hwaChi,中芯国际副总裁,获得台湾大学,罗德岛大学和加州大学伯克利分校(1982)电气工程硕士和博士学位。他在英特尔(1982-88),KFI技术(1988-1994年)和美国国家半导体(1994-97)在非易失性和闪存,成像仪和模块过程开发方面为VLSI行业服务。他加入Tsmc(1997-2004),担任DRAM和CMOS逻辑技术开发研发总监。他于2006年3月加入中芯国际担任企业技术开发高级副总裁。他获得了104项美国专利,在CMOS逻辑,闪存,成像器,DRAM和功率器件领域发表了65多篇技术论文。
Min-hwa Chi,中芯国际副总裁,获得台湾大学,罗德岛大学和加州大学伯克利分校(1982)电气工程硕士和博士学位。他在英特尔(1982-88),KFI技术(1988 - 1994年)和美国国家半导体(1994-97)在非易失性和闪存,成像仪和模块过程开发方面为VLSI行业服务。他加入Tsmc(1997-2004),担任DRAM和CMOS逻辑技术开发研发总监。他于2006年3月加入中芯国际担任企业技术开发高级副总裁。他获得了104项美国专利,在CMOS逻辑,闪存,成像器,DRAM和功率器件领域发表了65多篇技术论文。
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Min-hwa Chi
Min-hwa Chi  Min-hwaChi,中芯国际副总裁,获得台湾大学,罗德岛大学和加州大学伯克利分校(1982)电气工程硕士和博士学位。他在英特尔(1982-88),KFI技术(1988-1994年)和美国国家半导体(1994-97)在非易失性和闪存,成像仪和模块过程开发方面为VLSI行业服务。他加入Tsmc(1997-2004),担任DRAM和CMOS逻辑技术开发研发总监。他于2006年3月加入中芯国际担任企业技术开发高级副总裁。他获得了104项美国专利,在CMOS逻辑,闪存,成像器,DRAM和功率器件领域发表了65多篇技术论文。
Min-hwaChi,中芯国际副总裁,获得台湾大学,罗德岛大学和加州大学伯克利分校(1982)电气工程硕士和博士学位。他在英特尔(1982-88),KFI技术(1988-1994年)和美国国家半导体(1994-97)在非易失性和闪存,成像仪和模块过程开发方面为VLSI行业服务。他加入Tsmc(1997-2004),担任DRAM和CMOS逻辑技术开发研发总监。他于2006年3月加入中芯国际担任企业技...
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Min-hwa Chi,中芯国际副总裁,获得台湾大学,罗德岛大学和加州大学伯克利分校(1982)电气工程硕士和博士学位。他在英特尔(1982-88),KFI技术(1988 - 1994年)和美国国家半导体(1994-97)在非易失性和闪存,成像仪和模块过程开发方面为VLSI行业服务。他加入Tsmc(1997-2004),担任DRAM和CMOS逻辑技术开发研发总监。他于2006年3月加入中芯国际担任企业技术开发高级副总裁。他获得了104项美国专利,在CMOS逻辑,闪存,成像器,DRAM和功率器件领域发表了65多篇技术论文。

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