王圩
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半导体光电子学专家,早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究,1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究。1937年12月25日生于河北文安。1960年毕业于北京大学物理系半导体物理专业。1997年当选为中国科学院院士。

半导体光电子学专家,早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究 ,1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究。1937年12月25日生于河北文安。1960年毕业于北京大学物理系半导体物理专业。1997年当选为中国科学院院士。

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王圩  半导体光电子学专家,早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究,1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究。1937年12月25日生于河北文安。1960年毕业于北京大学物理系半导体物理专业。1997年当选为中国科学院院士。
半导体光电子学专家,早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究,1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究。1937年12月25日生于河北文安。1960年毕业于北京大学物理系半导体物理专业。1997年当选为中国科学院院士。
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半导体光电子学专家,早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究 ,1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究。1937年12月25日生于河北文安。1960年毕业于北京大学物理系半导体物理专业。1997年当选为中国科学院院士。

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