李树深
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半导体器件物理专家，主要从事半导体低维量子结构中的器件物理基础研究。1963年3月出生于河北省保定市。1983年毕业于河北师范大学，1989年、1996年先后在西南交通大学和中国科学院半导体研究所获硕士和博士学位。2011年当选为中国科学院院士。
半导体器件物理专家，主要从事半导体低维量子结构中的器件物理基础研究。1963年3月出生于河北省保定市。1983年毕业于河北师范大学，1989年、1996年先后在西南交通大学和中国科学院半导体研究所获硕士和博士学位。2011年当选为中国科学院院士。
