Hyung-HoPark
Hyung-HoPark于1988年获得法国波尔多第一大学材料科学博士学位。法国科学研究中心化学实验室从事博士后研究一年后,加入韩国电子通信研究院。自1995年起,成为韩国延世大学陶瓷系教授。其研究集中于用作电容器、传感器以及门材料的铁电薄膜和含电极材料接口;用于MOS中的GaAs表面和界面;meso-porous材料DLC薄膜;有机薄膜和分散纳米粒子等的特性描述。发表超过300SCI(E)期刊论文,并担任国际会议委员会委员/期刊编辑超过25次。
Hyung-HoPark于1988年获得法国波尔多第一大学材料科学博士学位。 法国科学研究中心化学实验室从事博士后研究一年后,加入韩国电子通信研究院。 自1995年起,成为韩国延世大学陶瓷系教授。其研究集中于用作电容器、传感器以及门材料的铁电薄膜和含电极材料接口; 用于MOS中的GaAs表面和界面;meso-porous材料DLC薄膜;有机薄膜和分散纳米粒子等的特性描述。 发表超过300SCI(E)期刊论文,并担任国际会议委员会委员/期刊编辑超过25次。
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Hyung-HoPark  Hyung-HoPark于1988年获得法国波尔多第一大学材料科学博士学位。法国科学研究中心化学实验室从事博士后研究一年后,加入韩国电子通信研究院。自1995年起,成为韩国延世大学陶瓷系教授。其研究集中于用作电容器、传感器以及门材料的铁电薄膜和含电极材料接口;用于MOS中的GaAs表面和界面;meso-porous材料DLC薄膜;有机薄膜和分散纳米粒子等的特性描述。发表超过300SCI(E)期刊论文,并担任国际会议委员会委员/期刊编辑超过25次。
Hyung-HoPark于1988年获得法国波尔多第一大学材料科学博士学位。 法国科学研究中心化学实验室从事博士后研究一年后,加入韩国电子通信研究院。 自1995年起,成为韩国延世大学陶瓷系教授。其研究集中于用作电容器、传感器以及门材料的铁电薄膜和含电极材料接口; 用于MOS中的GaAs表面和界面;meso-porous材料DLC薄膜;有机薄膜和分散纳米粒子等的特性描述。 发表超过300SCI(E...
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Hyung-HoPark于1988年获得法国波尔多第一大学材料科学博士学位。 法国科学研究中心化学实验室从事博士后研究一年后,加入韩国电子通信研究院。 自1995年起,成为韩国延世大学陶瓷系教授。其研究集中于用作电容器、传感器以及门材料的铁电薄膜和含电极材料接口; 用于MOS中的GaAs表面和界面;meso-porous材料DLC薄膜;有机薄膜和分散纳米粒子等的特性描述。 发表超过300SCI(E)期刊论文,并担任国际会议委员会委员/期刊编辑超过25次。

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